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μ PA2755AGR
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
35
I D = 4.0 A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
V GS = 0 V
30
25
20
15
Pulsed
V GS = 4.5 V
10 V
1000
f = 1 MHz
C iss
10
5
100
C oss
C rss
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
10
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 10 Ω
30
25
I D = 8.0 A
15
100
t d(off)
20
15
V DD = 24 V
15 V
6V
10
t r
10
t d(on)
10
5
t f
5
V DS
V GS
1
0
0
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
10
4.5 V
0V
100
1
10
0.1
0.01
0
0.5
1
Pulsed
1.5
1
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet G19282EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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